按照学院相关标准执行或学院审议确定。

"二次电子图像保证分辨率:3.0nm(30kV)，8 nm(3kV)，15nm(1kV) 背散射电子图像保证分辨率:4.0nm(30kV)放大倍数在x5~X300,000之间可连续变化，放大倍数预设功能，用户可以自己预设5个放大倍数。 提供二次电子探测器和高灵敏度半导体探测器，可获得形貌像、成分像、立体像加速电压:0.5kV-30kV 束流:1pA~1uA 图象平移:-50μm~+50μm(高倍观察时，通过控制电子束的移动选择观察位置，指标越大越好)，并可在不移动样品台的条件下即可实现 样品台:Large-sized eucentric goniometer大尺寸、超级对中样品台(可装直径150mm样品) X:80mm Y:40mm T:-10 to +90degree R:360degree Z:WD5mm to48mm 灯丝采用 Factory precentered type(灯丝更换无需调整)预对中型灯丝 自动功能包括自动枪对中、自动聚焦、自动消象散、自动衬度或亮度、像散记忆功能 提供自动变焦聚光镜,在束流改变时保持图像的在焦状态 物镜光栏:三级，根据不同的需求进行大中小的转

适用于样品表面微观形态的观察与分析

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